2月29日，台积电正式官宣3nm芯片新消息，一个是3nm芯片正式进入量产阶段，同时对3nm芯片工厂进行扩产。
另外，台积电还表示台南科技园区晶圆18厂是台积电5nm及3nm生产重要基地，Fab 18厂5期至9期厂房是3纳米生产基地。
关键是，台积电刘德音强调持续深耕投资台湾地区，台积电 2 纳米预计在新竹与台中投产，合计有六期工程。
可以说，台积电扩建3nm芯片工厂，还开建设2nm芯片工厂，这基本表态了自身的态度。
对此，也有美媒表示终究是错付了，美一直都想要想台积电最先进的芯片制造技术，在建厂方面给予台积电巨大支持，甚至还给予了一年的豁免权。
虽然台积电在美建设4nm芯片工厂，并开始建设3nm芯片生产线，但到3nm芯片到2026年才能够正式投产。
而台积电目前已经正式量产3nm制程的芯片，并计划于2025年量产2nm制程的芯片，则意味着美能制造3nm芯片时，台积电都在发展2nm以下芯片。
也就是说，台积电根本就美有将最先进的芯片制造技术放在美，连想法都没有。
另外，台积电表示台南科技园区晶圆18厂是台积电3nm生产重要基地，这就说明在3nm芯片产能方面，台湾省还是占主导地位。
当然，台积电也就不可能将最先进的芯片制造技术放在美，更不能再美作为台积电芯片的主要生产制造基地，主要因为以下几点。
首先，台积电是护台神山，主要指的是台积电最先进的芯片制造技术，无论是台湾当局还是台积电当局都不可能傻到，将最先先进的技术拱手让人。
俗话说得好，留得青山在不怕没柴烧，而最先进的芯片制造技术就是台湾省和台积电的青山。
更何况，台积电在掌握的是最先进的芯片制造技术，其它厂商都没有掌握。
即便是三星也量产了3nm芯片，并与美企合作提升3nm芯片的良品率，但良品率仍是一个问题。
其次，台积电心知肚明，在美建厂就是为了获得补贴，也是为了获得更多美芯订单，迎合政策，并不是真的想在美生产制造更多芯片。
一方面是因为在美生产制造芯片成本高，英特尔都将大量工厂建在海外地区，美推出了2000亿美元的补贴政策后，才宣布在投资1000亿美元建厂。
美光也亮明了态度，称公布超出能力的建厂规划，目的就是为了更多芯片补贴。
另一方面是因为在美生产制造芯片成本高，比台湾省高出50%，这不仅会影响台积电的利润，还会影响台积电先进工艺的研发进度。
要知道，台积电在台湾省生产制造芯片成本高，在国际上高价出售，获得了较多的利润，从而支持了台积电先进工艺的研发。
更何况，台积电出货方面已经受到了约束，如果再将大量的先进工艺芯片产能放在美，这就相当于拱手让出了自己的生命权。
毕竟，ASML就是最好的例子，因为有大量的工厂在美，结果导致其在美生产制造的DUV光刻机，也不能自由出货。
