ASML依靠独有的EUV光刻机赚得盆满钵满，曾经芯片企业排队抢购EUV光刻机，然而如今全球市场却出现一股风潮，那就是绕开EUV光刻机，这让ASML后悔不迭。
首先是ASML跪舔的美国抛弃了它。美国芯片企业美光表示绕开EUV光刻机研发的10nm级别的1β工艺提升了存储密度30%，而功耗降低了20%，更重要的是成本大幅下降，这主要是因为EUV光刻机比美光现在采用的EUV光刻机贵了2-3倍。
其次是美国光刻机企业Zyvex公司研发电子束光刻机，绕开了ASML的EUV光刻机，并且将先进工艺提升到0.768纳米，打破了ASML尚未量产的第二代EUV光刻机的极限，如此一来美国芯片企业未来很可能不再采购ASML的EUV光刻机。
再次是财大气粗的台积电也一反常态不在抢购EUV光刻机，台积电当下的先进工艺制程产能过剩，而客户由于全球芯片行业衰退而转向选择成熟工艺，为了增强竞争优势，台积电建立“3D Fabric”联盟，以3D封装技术提高成熟工艺的性能降低成本。
日本芯片行业早已绕开EUV光刻机开发了NIL工艺，据悉日本的NIL工艺已先后打破10nm、5nm，NIL工艺的成本比EUV光刻机工艺降低六成，这对于ASML同样是重大打击，日本芯片设备行业曾经领先ASML，如今日本在先进工艺技术方面绕开EUV光刻机将重振芯片设备产业，日本或许为了重振芯片设备产业而对海外销售更将成为压倒ASML的最后一根稻草。
面对中国台湾、美国和日本的芯片企业做出的选择，ASML似乎还颇为硬气，近期宣布将在未来两年大举扩张EUV光刻机和DUV光刻机的产能，业界人士认为ASML此举可能是计划在未来对中国出售光刻机。
然而由于ASML迟迟没有做出对中国销售光刻机的决定，中国已失去耐心。早前中国招标28台光刻机的时候，其中21台给了日本光刻机企业，7台给了中国大陆的企业；中国的芯片封测企业已在封装技术方面推出了5nm芯粒技术，还在量子芯片、光子芯片等技术方面取得突破，显示出中国正在决意绕开ASML的EUV光刻机。
随着中国这个ASML期待的最后市场的转肽，ASML正陷入窘境，这一切都与ASML跪舔美国有关。此前美国提出的每项举措，ASML都迅速紧紧跟随，美国要求ASML不得对中国出售EUV光刻机，ASML在收取了中芯国际1.2亿美元货款后延迟了4年都未交付，今年美国又要求ASML不得对中国出售14nm以下的DUV光刻机，ASML照单全收。
然而如今却是美国率先背叛ASML，然后日本再施加压力，台积电等无力大规模采购EUV光刻机，最终导致了ASML陷入如今的窘境，可以说ASML如今的结果完全是它咎由自取。
事实已经证明了先进工艺已不仅只有EUV这个ASML的独门武器，研发先进工艺有了更多途径，ASML获取厚利的EUV光刻机因为成本昂贵而被抛弃，如果没有了EUV光刻机带来的厚利，ASML将再度回到20年前艰难求生的日子，对此它或许已经后悔不迭了吧？
