随着天玑9200、高通骁龙8G2先后将LPDDR5X格式的内存颗粒纳入主架构设计，颗粒本身的量产也决定着搭载该芯片的手机是否能正常量产。
目前，供应商之一的镁光正式宣布，在低功耗 LPDDR5X 移动内存上采用新一代制程技术，目前已成功量产。
值得注意的是，本次镁光创新性采用了1β 节点，与上一代 1α 节点相比，1β 技术可将能效提高约 15%，内存密度提升 35% 以上，单颗粒容量达 16Gb，具备低延迟、低功耗和高性能的特点，最高速率可达每秒 8.5Gb。
同为供货商的海力士，则在10月8日就抢先一步，宣布开始销售基于HKMG（高K金属栅）技术的LPDDR5X（低功耗双数据速率5x）移动DRAM。
借助HKMG，一层薄薄的高k薄膜可取代晶体管栅极中现有的SiON栅氧化层，降低了泄漏电流，提高了芯片可靠性。
此外，通过减小栅厚度，可以实现晶体管的仅有不微缩，并改善基于多晶硅/SiON的晶体管的速度特性。
与上一代芯片相比，SK海力士最新官宣的产品功耗降低了25%，比上一代快33%，实现了8.5Gbps的操作速度。
可以看到即使技术不一样，但规格两家基本保持一致。所以首批骁龙8G2和天玑9200新机应该都是海力士的内存颗粒。
至于三星，只一次似乎慢了半拍，除了高通初期验证速率贡献过之外，目前三星还在量产采用EUV（极紫外）技术的14nm工艺制造DDR5 DRAM，似乎对新一代存储量产不是那么热衷。
也有可能是因为新技术对生产线要求过高，所以年底前的旗舰手机如果采用LPDDR5X，不会出现使用三星颗粒的手机。
