作为全球芯片制造技术最先进的厂商，台积电一直都是被邀请的对象，尤其是美，其主动邀请台积电赴美建厂，希望台积电带来先进的芯片制造技术。
芯片规则被修改后，台积电改变了主意，宣布在美投资120亿美元建设5nm芯片生产线。
随着美多次修改规则，不仅要求更多芯片在本土生产制造，还进一步约束美半导体设备企业出货。
于是，台积电扩大了在美建厂规模，宣布5nm芯片工厂建成后，将直接生产制造4nm制程的芯片，另外，还正式开建3nm芯片工厂，共计投资400亿美元。
台积电宣布这两个消息后，就有人表示台积电将变成美积电，这是要掏空台积电。
但谁也没有想到的是，在台积电3nm芯片量产仪式上，台积电刘德音做出新表态。
宣布扩大台积电3nm芯片工厂的规模，预计投资605亿美元，远超在美投资的400亿美元。
同时，台积电将南部科学园区的Fab 18新厂作为3nm芯片的重要生产制造基地。
最主要的是，刘德音表示台积电在保持其技术领先地位的同时，在台湾省进行了大量投资，继续投资并与环境共同繁荣。
这次3nm量产和产能扩张仪式表明，我们正在采取具体行动，在台湾省发展先进技术和扩大产能。
对此就有外媒表示台积电相当于决定了，台湾省仍是台积电先进芯片工艺和主要芯片产能的大本营，并将持续下去，不会掏空台积电。
其实，刘德音在做出上述表态之外，台积电还宣布在台湾省投资建设2nm1nm芯片工厂。
其中，2nm芯片工厂已经选址并计划建设，预计2025年正式投产，而1nm芯片则选址台积电总部。
从台积电扩建3nm芯片工厂，直接投资605亿美元，还将2nm、1nm芯片工厂建设在台湾省，而在美建设的3nm芯片工厂到2026年才投产。
这些都能够说明台积电基本上做出了决定，台积电投资和发展的重点仍是台湾省。
当然，台积电仍将重点放在台湾省，一方面是因为台湾省优势明显，尤其是在产业链优势、成本优势等方面。
张忠谋都明确表示这些优势美不具备，在美生产制造会导致台积电的芯片生产成本提升50%。
另一方面是台湾省芯片人才多，张忠谋也曾明确表示美在芯片人才方面落后台湾省，美要想发展芯片产业，不妨优先发展芯片人才。
要知道，台积电在美建厂，由于美缺少芯片人才，台积电不得不组织部分员工赴美工厂，由于当地缺少人才、用工成本高，台积电不得不聘请具有高中学历的员工。
还有一点就是，芯片全球化“已死“，国内厂商、欧洲等都在大力发展芯片制造技术，欧洲更是投资430亿欧元，计划到2030年实现全球20%的芯片在欧制造。
台积电为了更好出货，自然要将更多芯片产能放在台湾省，因为在美生产制造的芯片，在出货方面必然不自由。
ASML就是最好的例子，在美生产制造的DUV光刻机就不能自由出货，更何况，4nm、3nm等先进制程的芯片。
