集微网消息，据eeNews报道，法国的CEA-Leti一直在与英特尔合作开发一种混合芯片-晶圆工艺，可以将基于小芯片的封装的生产速度提高四倍。
与英特尔共同开发的工艺探索了另一种使用水滴的毛细作用力进行高精度对齐的方法。这使用拾放机器人进行快速预对准，精度超过200微米。第二步是使用水滴中的毛细作用力完成对准过程，这能够在400纳米处对准芯片到晶圆。
此过程仅处于探索阶段，需要开发特定设备。必须验证几个关键点，例如铜和水的相容性。
然而，实现的对准精度将满足未来将小芯片以500纳米的精度安装在基板上的要求。使用快速拾放机器人将为每小时2,000个芯片的生产率开辟道路，比目前的工业生产速度快四倍多。
与SET（Smart Equipment Technology）的合作重点是芯片和晶圆与铜和氧化物表面的混合键合。这种情况可以在AI芯片的情况下找到，例如在存储器和CMOS电路等硅组件上层叠III-V材料（例如LED和图像传感器）。
该工艺的对准精度低于一微米，目前正在CEA-Leti洁净室中使用。
该技术主要的限制是需要一个超洁净的环境来避免污染。为了提高吞吐量，研究人员专注于芯片切割后的清洁方式。由于开发了优化的清洁策略，他们加快了这一昂贵步骤的速度。（校对/武守哲）
